Número do Painel
Autor
Instituição
UFSC
Tipo de Bolsa
PIBIC/CNPq
Orientador
MARCIO CHEREM SCHNEIDER
Depto
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA E ELETRÔNICA / EEL/CTC
Centro
CENTRO TECNOLOGICO
Laboratório
Grande Área / Área do Conhecimento
Ciências Exatas e da Terra /Engenharias
Sub-área do Conhecimento
Engenharia Elétrica
Titulo
Extração de parâmetros do modelo ACM do transistor de efeito de campo MOS.
Resumo

Este projeto apresenta o desenvolvimento de uma fonte de corrente auto polarizada baseada em self-cascode MOSFETs para aplicações biomédicas. Utilizou-se o modelo ACM (Advanced Compact MOSFET) (SCHNEIDER; GALUP-MONTORO, 2010) para descrever o circuito e realizar o projeto, sendo esse realizado apenas a nível esquemático na ferramenta Virtuoso, da Cadence. Boa parte dos resultados ficaram dentro do esperado, com o circuito obtendo uma corrente de saída por volta de 1.46 pA, e com boa regulação de corrente com relação à alimentação, de 1.54 %/V. Apesar disso, a eficiência do circuito obtido foi extremamente baixa, já que houve uma atenuação considerável da corrente do núcleo para a corrente de saída, e tal corrente também não apresenta comportamento linear na faixa requerida, a partir de 50°C.

Link do Videohttps://repositorio.ufsc.br/handle/123456789/239725
Palavras-chave
circuitos integrados, tecnologia CMOS, simulador de circuitos, circuitos analogicos, MOSFET
Colaboradores

Pró-Reitoria de Pesquisa(PROPESQ) | Central Telefônica - (48) 3721-9332 | Email - piict@contato.ufsc.br