Este trabalho apresenta uma referência de corrente CMOS de ultra baixo consumo de potência, usando a topologia de (Guigues, 2007), onde a partir desta é feita a análise e o projeto usando um modelo de equações para o MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) válido em todas as regiões de operação, sendo fundamental para um projeto de baixa potência. A metodologia do projeto é apresentada passo a passo e este é validado a partir de simulações, onde conseguiu-se uma operação da corrente de referência de 472pA com uma variação de 2,80%/V, chegando a um consumo de apenas 1.5nW. A análise transiente e do descasamento dos transistores também é apresentada.