Este trabalho apresenta o estudo do modelo ACM de dispositivos MOS, sendo que esse apresenta equações que descrevem o transistor em todas as reigões de inversão, tornando possível o design de circuitos de baixa tensão e potência. A extração dos parâmetros essenciais do modelo é descrita conforme (SIEBEL; SCHNEIDER; GALUP-MONTORO, 2012) e (SCHNEIDER; GALUP-MONTORO, 2010). Após extração, o modelo tem seu desempenho comparado qualitativamente com simulações reais, a fim de se constatar a validade desse. Apesar de razoável, o resultado fica aquém do esperado, mas isso já era previsto, uma vez que nem todos os parâmetros possíveis foram utilizados, nem muitos efeitos de segunda ordem foram avaliados.